ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, DFN2020Y7LSAA, 表面安装, 7引脚, RF9L120BLFRATCR

N
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RS 库存编号:
780-677
制造商零件编号:
RF9L120BLFRATCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

DFN2020Y7LSAA

安装类型

表面安装

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

38Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

最大栅源电压 Vgs

10V

最大功耗 Pd

23W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

高度

0.65mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为汽车电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为ADAS和信息娱乐系统设计,确保在高要求车辆环境中也能高效运行。

漏源电压为60V

连续漏极电流为12A

典型导通电阻为35mΩ

功耗高达 23 W