制造商编号

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=200 V, 95 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJQ190ER-T1_GE3, SQJ系列

RS 库存编号:: 829-355
制造商零件编号:: SQJQ190ER-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=200 V, 95 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJQ190ER-T1_GE3, SQJ系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB40.11

(不含税)

RMB45.32

在 2027年1月18日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB40.11
10 - 49	RMB24.91
50 - 99	RMB15.10
100 +	RMB14.71

* 参考价格

RS 库存编号:: 829-355
制造商零件编号:: SQJQ190ER-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	95A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	P
	系列	SQJ
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0143Ω
	通道模式	增强模式
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	56nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	长度	8.10mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	高度	1.04mm
	宽度	8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 95A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 P
	系列 SQJ
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0143Ω
	通道模式增强模式
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	长度 8.10mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	高度 1.04mm
	宽度 8mm
	汽车标准否

Datasheet - SQJQ190ER-T1_GE3

COO (Country of Origin):: DE

Vishay功率MOSFET在汽车应用中表现出色，凭借强大的热管理能力，确保在严苛条件下仍能可靠运行，同时兼顾性能和使用寿命。

采用TrenchFET技术，提升了效率

通过AEC-Q101认证，符合汽车行业可靠性标准

1.9mm的纤薄外形与紧凑设计相得益彰

最大漏源电压200V，支持高性能电路

Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=200 V, 95 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJQ190ER-T1_GE3, SQJ系列

批量定价选项

相关链接

Vishay N沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=200 V, 95 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJQ190ER-T1_GE3, SQJ系列