制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=63 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 851-497
制造商零件编号:: SIHK031N60AE-T1GE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=63 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 851-497
制造商零件编号:: SIHK031N60AE-T1GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	63A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PowerPAK
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.04Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	175°C
	宽度	5.25mm
	长度	6.05mm
	标准/认证	AEC-Q101 Qualified
	高度	1.04mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 63A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PowerPAK
	系列 TrenchFET
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.04Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 175°C
	宽度 5.25mm
	长度 6.05mm
	标准/认证 AEC-Q101 Qualified
	高度 1.04mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIHK031N60AE-T1GE3

COO (Country of Origin):: KR

Vishay 功率 MOSFET 专为高性能开关应用而设计，具有卓越的效率和低能耗，可有效管理电气负载。

采用第四代 E 系列技术，性能更强

提供低导通电阻，可减少能耗

可处理高有效电容，确保可靠运行

可显著减少开关和传导损耗

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