Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK185N60EF-T1GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 268-8316
- 制造商零件编号:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 268-8316
- 制造商零件编号:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.193Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.193Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 9.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK系列MOSFET,650 V漏源电压,16 A连续漏电流 - SIHK185N60EF-T1GE3
此 MOSFET 是高电压 N 通道晶体管,设计用于 PCB 组件上的电源开关。它可在宽温度范围内工作,适用于需要稳健电压处理和耐热性的工业控制和电源转换环境。
特性和优点：
• 650 V 漏电压可实现高电压开关应用 • 16 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.193Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗和发热 • 114W 功耗可实现持久的功率处理 • 32nC 典型栅极电荷支持中等快速的切换速度 • 30 V 最大栅极驱动允许灵活的栅极控制设计
应用
• 适用于高压电源转换器和逆变器 • 适用于工业系统中的开关模式电源 • 用于自动化设备中的电机驱动开关 • 可用于照明镇流器和电子变压器控制
在系统设计中,它能承受哪些极端热?
它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在环境温度变化较大的环境中使用。
印刷电路板上需要考虑哪些安装因素?
它适用于PCB安装,采用PowerPAK 10x12封装,带八个引脚,因此PCB布局应提供足够的热通道和铜面积以实现热传播。
如何限制栅极驱动以保护设备?
栅极与源不得超过±30V,因此栅极驱动电路应包括夹紧或调节以防止过电压。
哪些电荷特性会影响栅极驱动器的选择?
在指定的栅极偏置时,典型栅极电荷为 32nC,提供用于栅极驱动器尺寸的所需驱动电流和开关损耗。
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