制造商编号

Vishay 单 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 113 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC100SA65, VS-FC系列

RS 库存编号:: 869-226
制造商零件编号:: VS-FC100SA65
制造商:: Vishay

Vishay 单 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 113 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC100SA65, VS-FC系列

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制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET 模块
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	113A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	VS-FC
	包装类型	SOT-227
	安装类型	螺钉接线端子
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	27.3mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	833W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	338nC
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	单
	长度	38.3mm
	宽度	25.7mm
	标准/认证	UL
	高度	12.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET 模块
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 113A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 VS-FC
	包装类型 SOT-227
	安装类型螺钉接线端子
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 27.3mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 833W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 338nC
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置单
	长度 38.3mm
	宽度 25.7mm
	标准/认证 UL
	高度 12.3mm
	汽车标准否

Datasheet - VS-FC100SA65

COO (Country of Origin):: PH

Vishay N沟道超结功率MOSFET模块采用超结功率MOSFET，能够在高电流和高电压规格范围内稳定运行。

超结技术实现了低导通电阻（RDS(on)，性能卓越

连续漏极电流额定值为82A，可在各种工作条件下最大限度地提高效率

具有优异的热性能，可在最高结温150°C下稳定运行

栅源耐压±20V，确保稳健性能

低栅极电荷可降低开关损耗，实现高效电源管理

Vishay 单 N沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 113 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC100SA65, VS-FC系列

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