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Vishay 半桥 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 195 A, FlatPAK 5 x 6, 螺钉接线端子安装, 12引脚, VS-HOT200C080, VS-H系列

RS 库存编号:: 869-230
制造商零件编号:: VS-HOT200C080
制造商:: Vishay

Vishay 半桥 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 195 A, FlatPAK 5 x 6, 螺钉接线端子安装, 12引脚, VS-HOT200C080, VS-H系列

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制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET 模块
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	195A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	FlatPAK 5 x 6
	系列	VS-H
	安装类型	螺钉接线端子
	引脚数目	12
	最大漏源电阻 Rd	0.91mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	130nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	194W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	半桥
	长度	30mm
	高度	12.7mm
	标准/认证	UL 94 V-0
	宽度	22.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET 模块
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 195A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 FlatPAK 5 x 6
	系列 VS-H
	安装类型螺钉接线端子
	引脚数目 12
	最大漏源电阻 Rd 0.91mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 130nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 194W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置半桥
	长度 30mm
	高度 12.7mm
	标准/认证 UL 94 V-0
	宽度 22.8mm
	汽车标准否

Datasheet - VS-HOT200C080

COO (Country of Origin):: KR

这款Vishay功率模块专为半桥应用设计，具备先进的电流和温度检测功能。这项创新的解决方案提供高效电源管理和可靠运行。

支持电流和温度检测，提升了可靠性

采用电隔离DBC基板，最大限度降低了电磁干扰

通过严苛的AQG324认证，适合汽车应用

最高结温可达175°C，确保耐用性

提供低至0.45 mΩ的导通电阻，提升了能效

Vishay 半桥 N沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 195 A, FlatPAK 5 x 6, 螺钉接线端子安装, 12引脚, VS-HOT200C080, VS-H系列

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