制造商编号

Vishay 低侧 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 42 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC50LA65, VS-FC系列

RS 库存编号:: 869-228
制造商零件编号:: VS-FC50LA65
制造商:: Vishay

Vishay 低侧 N沟道增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 42 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC50LA65, VS-FC系列

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制造商零件编号:: VS-FC50LA65
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET 模块
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	42A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	SOT-227
	系列	VS-FC
	安装类型	螺钉接线端子
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	54mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	167nC
	正向电压 Vf	1.55V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	431W
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	低侧
	标准/认证	UL
	长度	38.3mm
	宽度	25.7mm
	高度	12.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET 模块
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 42A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 SOT-227
	系列 VS-FC
	安装类型螺钉接线端子
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 54mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 167nC
	正向电压 Vf 1.55V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 431W
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置低侧
	标准/认证 UL
	长度 38.3mm
	宽度 25.7mm
	高度 12.3mm
	汽车标准否

Datasheet - VS-FC50LA65

COO (Country of Origin):: PH

Vishay 功率模块提供高性能功能，针对低侧斩波器应用进行了优化。这款高性能组件凭借卓越的热性能高效管理功耗，确保在严苛环境中稳定运行。

超级结技术可降低导通损耗

最高结温150°C，提升了可靠性

UL认证，符合安全标准

低导通电阻45mΩ，提升了能效

多功能SOT-227封装，助力无缝集成

Vishay 低侧 N沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=650 V, 42 A, SOT-227, 螺钉接线端子安装, 4引脚, VS-FC50LA65, VS-FC系列

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