Vishay P-通道沟道MOSFET, Vds=-60 V, Id=-1.7 A, 3针, SOT-23, SQ系列

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878-890
制造商零件编号:
SQ2309CES-T1_NE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-1.7A

最大漏源电压 Vd

-60V

系列

SQ

包装类型

SOT-23

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.335Ω

通道模式

P

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.5nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

2.64mm

高度

1.12mm

长度

3.04mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
Vishay汽车级P沟道MOSFET，专为在汽车应用中实现高效电源管理而设计。它拥有坚固的结构和高可靠性，能在极端条件下保持卓越性能。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

TrenchFET技术可最大化提升能效并降低功耗

低导通电阻确保发热量极低

宽温设计，支持多种作业环境

100% 通过R 和 UIS 测试，更加可靠

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