制造商编号

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -1.7 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2309CES-T1_NE3, SQ系列

RS 库存编号:: 878-890
制造商零件编号:: SQ2309CES-T1_NE3
制造商:: Vishay

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -1.7 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2309CES-T1_NE3, SQ系列

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制造商零件编号:: SQ2309CES-T1_NE3
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P-通道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-1.7A
	最大漏源电压 Vd	-60V
	系列	SQ
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.335Ω
	通道模式	P
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大功耗 Pd	2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.5nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	长度	3.04mm
	宽度	2.64mm
	高度	1.12mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P-通道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -1.7A
	最大漏源电压 Vd -60V
	系列 SQ
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.335Ω
	通道模式 P
	正向电压 Vf -1.2V
	最大功耗 Pd 2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.5nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 3.04mm
	宽度 2.64mm
	高度 1.12mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQ2309CES-T1_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay汽车级P沟道MOSFET，专为在汽车应用中实现高效电源管理而设计。它拥有坚固的结构和高可靠性，能在极端条件下保持卓越性能。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

TrenchFET技术可最大化提升能效并降低功耗

低导通电阻确保发热量极低

宽温设计，支持多种作业环境

100% 通过R 和 UIS 测试，更加可靠

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -1.7 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2309CES-T1_NE3, SQ系列

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