制造商编号

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -2.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2361CEES-T1_NE3, SQ系列

RS 库存编号:: 878-891
制造商零件编号:: SQ2361CEES-T1_NE3
制造商:: Vishay

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -2.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2361CEES-T1_NE3, SQ系列

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RS 库存编号:: 878-891
制造商零件编号:: SQ2361CEES-T1_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P-通道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-2.8A
	最大漏源电压 Vd	-60V
	包装类型	SOT-23
	系列	SQ
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.23Ω
	通道模式	P
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	2W
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	2.64mm
	高度	1.12mm
	长度	3.04mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P-通道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -2.8A
	最大漏源电压 Vd -60V
	包装类型 SOT-23
	系列 SQ
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.23Ω
	通道模式 P
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 2W
	正向电压 Vf -1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 2.64mm
	高度 1.12mm
	长度 3.04mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQ2361CEES-T1_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay汽车级P沟道MOSFET，可在严苛工况下提供可靠、高效的开断性能。其设计注重性能，其最大漏源电压为60V，连续漏极电流达2.8A。

TrenchFET技术确保理想的开关效率

符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用

可承受高达2.8A的连续漏极电流

专为低导通电阻设计，可有效降低功耗

提供出色的ESD保护，额定电压为800V

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -2.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2361CEES-T1_NE3, SQ系列

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