Vishay P-通道沟道MOSFET, Vds=-60 V, Id=-2.8 A, 3针, SOT-23, SQ系列

N
查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1 件）*

RMB2.65

(不含税)

RMB2.99

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

Tape(s)
Per Tape
1 - 24RMB2.65
25 - 99RMB1.77
100 - 499RMB1.08
500 +RMB0.98

* 参考价格

RS 库存编号:
878-891
制造商零件编号:
SQ2361CEES-T1_NE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-2.8A

最大漏源电压 Vd

-60V

包装类型

SOT-23

系列

SQ

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.23Ω

通道模式

P

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

2W

最高工作温度

175°C

长度

3.04mm

高度

1.12mm

标准/认证

RoHS

宽度

2.64mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
Vishay汽车级P沟道MOSFET，可在严苛工况下提供可靠、高效的开断性能。其设计注重性能，其最大漏源电压为60V，连续漏极电流达2.8A。

TrenchFET技术确保理想的开关效率

符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用

可承受高达2.8A的连续漏极电流

专为低导通电阻设计，可有效降低功耗

提供出色的ESD保护，额定电压为800V

相关链接