制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-BE3, SiSS系列

RS 库存编号:: 878-900
制造商零件编号:: SISS32ADN-T1-BE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-BE3, SiSS系列

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RS 库存编号:: 878-900
制造商零件编号:: SISS32ADN-T1-BE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	50.3A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	1212-8S
	系列	SiSS
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0087Ω
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	65.7W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最高工作温度	150°C
	长度	3.4mm
	标准/认证	RoHS
	高度	0.83mm
	宽度	3.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 50.3A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 1212-8S
	系列 SiSS
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0087Ω
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 65.7W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最高工作温度 150°C
	长度 3.4mm
	标准/认证 RoHS
	高度 0.83mm
	宽度 3.4mm
	汽车标准否

Datasheet - SISS32ADN-T1-BE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay MOSFET在电源管理应用中表现出卓越性能。该器件设计高效，在同步整流和作为 DC/DC 转换器的初级侧开关方面表现出色，确保可靠的能量控制。

TrenchFET第四代技术显著提升了能效

极低导通电阻，有效降低功耗

全面测试确保可靠性和性能表现

多功能封装设计，可满足各种安装要求

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-BE3, SiSS系列

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