制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=8 A, 6针, TSOP-6, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 904-971
制造商零件编号:: SI3462DV-T1-GE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=8 A, 6针, TSOP-6, TrenchFET系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1 件）*

RMB3.04

(不含税)

RMB3.44

(含税)

暂时缺货

在 2027年2月15日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

Tape(s)	Per Tape
1 - 24	RMB3.04
25 - 99	RMB1.96
100 +	RMB1.18

* 参考价格

RS 库存编号:: 904-971
制造商零件编号:: SI3462DV-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	TrenchFET
	包装类型	TSOP-6
	安装类型	表面安装
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	0.023Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.4nC
	最大功耗 Pd	4.2W
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	ROHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 TrenchFET
	包装类型 TSOP-6
	安装类型表面安装
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 0.023Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.4nC
	最大功耗 Pd 4.2W
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 ROHS
	汽车标准否

Datasheet - SI3462DV-T1-GE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay 功率 MOSFET 为开关应用提供卓越的性能，可在苛刻的电子电路中提供可靠控制，并确保在各种环境中高效运行。

N 通道结构支持高效切换，具有最小导通电阻

最大漏源电压额定值为 60 V，可增强应用的通用性

低栅源阈值电压确保与各种驱动电路兼容

经过热性能优化，具备低热阻，可提升效率

相关链接