Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=20 V, 2.5 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SI3552BDV-T1-GE3, TrenchFET系列

N
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847-934
制造商零件编号:
SI3552BDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

TSOP-6

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.200Ω

通道模式

增强模式

最大功耗 Pd

1.15W

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.1nC

最高工作温度

150°C

长度

2.90mm

高度

1mm

宽度

1.60mm

标准/认证

RoHS3 Compliant

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay功率MOSFET集成了N沟道和P沟道双重功能，可在各类应用中实现高效能表现。该设备在紧凑的空间内最大限度提高了能效，同时保持可靠性。

TrenchFET技术确保低导通电阻，从而显著提升能效

N沟道最大漏源电压30V，P沟道最大漏源电压-30V

连续漏极电流额定值高达3.7A，确保可靠运行

引脚不含卤素，助力环保可持续发展

采用紧凑型TSOP-6封装，助力实现节省空间的设计

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