Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=14 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

N
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RS 库存编号:
904-972
制造商零件编号:
SI7120BDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.021Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

19.8W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.3nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

宽度

3.3mm

标准/认证

ROHS

长度

3.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N 通道 MOSFET 专为高效电源管理而设计，具有先进的功能和稳健的可靠性，可在各种电子应用中提供更强的性能。

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