Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=330 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

N
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RS 库存编号:
904-978
制造商零件编号:
SIRS4614EPW-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

330A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.000995Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

最大功耗 Pd

205W

最高工作温度

175°C

标准/认证

ROHS

长度

6mm

宽度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay 功率 MOSFET 专为高效运行而设计，专门用于解决电子应用中与传导相关的功率损耗问题。该组件具有坚固的结构和在不同条件下的耐用性。

TrenchFET Gen IV 技术确保出色的性能和最小功耗

额定漏源电压为 60 V，可在高压环境中提供稳定性

低导通电阻可最大限度提升电源管理应用的效率

设计具有增强的功耗能力，可减少热问题

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