Vishay N沟道 N型 功率 MOSFET, Vds=80 V, 116 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIRS5800LEPW-T1RE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-507
- 制造商零件编号:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 851-507
- 制造商零件编号:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 116A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0039Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 92.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 116A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0039Ω | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 92.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44.5nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay高性能N沟道MOSFET专为实现高效电源管理而设计。它可在80V电压下有效运行,最高接点温度为175°C,可在各种应用中提供可靠、稳健的功能。
TrenchFET Gen V 技术确保卓越的性能和效率
极低的导通电阻可减少传导过程中的功率损耗
100% 通过 R 和 UIS 测试,确保高可靠性
热性能更佳,功耗能力更强