STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=80 A, 3针, TO-263, STripFET II系列

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RS 库存编号:
103-1567
制造商零件编号:
STB80NF55L-06T4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

STripFET II

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-16, +16V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

100nC

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

高度

4.6mm

宽度

9.35mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

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