STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=55 A, 3针, TO-263, STripFET II系列

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RS 库存编号:
920-8792
制造商零件编号:
STB55NF06LT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

STripFET II

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-16, +16V

最大功耗 Pd

95W

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

175°C

长度

10.75mm

标准/认证

No

高度

4.6mm

宽度

10.4mm

汽车标准

否

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