Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.4 A, 3针, SC-70, OptiMOS 2系列

RS 库存编号:: 110-7113
制造商零件编号:: BSS816NWH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.4 A, 3针, SC-70, OptiMOS 2系列

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RS 库存编号:: 110-7113
制造商零件编号:: BSS816NWH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	1.4A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	SC-70
	系列	OptiMOS 2
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	240mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.6nC
	最大功耗 Pd	500mW
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	-8V, +8V
	最高工作温度	175°C
	高度	0.8mm
	长度	2mm
	标准/认证	No
	宽度	1.25mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 1.4A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 SC-70
	系列 OptiMOS 2
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 240mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC
	最大功耗 Pd 500mW
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs -8V, +8V
	最高工作温度 175°C
	高度 0.8mm
	长度 2mm
	标准/认证 No
	宽度 1.25mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 系列 MOSFET，20V 最大漏源电压，1.4A 最大连续漏极电流 - BSS816NWH6327XTSA1

该 MOSFET 是一款紧凑的 N 通道增强型设备，专为汽车和工业电子系统中的低压开关而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要小尺寸和适度功率处理的表面安装应用。

特性和优点：

• 导通电阻低至 240 mΩ，可减少传导损耗和热量
• 最大漏极电流为 1.4A，可实现适度负载切换
• 漏源电压额定值为 20V，支持典型汽车导轨
• 栅极电荷为 0.6 nC，可实现更快的栅极驱动并降低开关损耗
• 功耗为 500 mW，可在轻载下持续运行
• 栅源极限电压为 8V，可防止驱动电压过高

应用

• 适用于汽车传感器模块中的开关级
• 适用于 12V 辅助电路中的负载切换
• 与需要小尺寸的电池管理外围设备配合使用
• 可用于信息娱乐系统中的信号电平功率控制
• 适用于紧凑型电机驱动栅极级，用于低电流

哪种封装适用于高密度电路板布局？

它采用 SC-70 表面安装封装，可最大限度减少电路板面积并支持自动化贴装。

它在高环境温度下的性能如何？

该设备专为在 -40 °C 至 175 °C 的温度范围内运行而设计，可用于汽车引擎舱内的典型恶劣热环境。

栅极应采用哪种驱动电压范围？

最大允许栅源电压为 8V，因此应选择栅极驱动器以确保电压保持在该限值范围内。

该设备如何平衡开关速度和栅极驱动能量？

其典型栅极电荷为 0.6 nC，需要相对较低的开关能量，有助于提高重复转换系统的效率。