onsemi , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.6 A, WDFN, 表面安装, 6引脚, μCool系列
- RS 库存编号:
- 121-6306
- 制造商零件编号:
- NTLJD3119CTBG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥7,482.00
(不含税)
¥8,454.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB2.494 | RMB7,482.00 |
| 15000 + | RMB2.394 | RMB7,182.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 121-6306
- 制造商零件编号:
- NTLJD3119CTBG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 系列 | μCool | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±8 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.3W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.69V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.6A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 WDFN | ||
系列 μCool | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±8 V | ||
最大功耗 Pd 2.3W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.69V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
高度 0.75mm | ||
长度 2mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。