onsemi , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.5 A, WDFN, 表面安装, 6引脚, NTLJD4116NT1G
- RS 库存编号:
- 790-5268
- 制造商零件编号:
- NTLJD4116NT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB4.423 | RMB44.23 |
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| 1500 + | RMB4.159 | RMB41.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5268
- 制造商零件编号:
- NTLJD4116NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.3W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 正向电压 Vf | 0.78V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.3W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 150°C | ||
正向电压 Vf 0.78V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.4nC | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2 mm | ||
长度 2mm | ||
高度 0.75mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||