Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=104 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 124-9005
- 制造商零件编号:
- IRFB4115PBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 124-9005
- 制造商零件编号:
- IRFB4115PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 104A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 380W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 77nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 104A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 380W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 77nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
高度 9.02mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，150V 最大漏源电压，104A 最大连续漏极电流 - IRFB4115PBF
这款 MOSFET 是一款高功率 N 通道增强型设备，专为苛刻电子系统的开关和功率转换任务而设计。它可在宽热范围内工作，适用于恶劣环境，并采用通孔 TO-220 封装，便于散热和组装。该设备具有强大的连续漏极电流能力，适用于需要高效高电流处理和快速开关性能的应用。
特性和优点：
• 150V最大漏极电压支持高压开关
• 104A 连续漏极电流支持重载处理
• 11 mΩ 低 RDS(on)，可在高电流下最大限度减少传导损耗
• 380W 功耗允许持续的热负载
• 77 nC 典型栅极电荷，可实现快速开关转换
• 1.3V 正向电压可降低二极管导通压降
• 104A 连续漏极电流支持重载处理
• 11 mΩ 低 RDS(on)，可在高电流下最大限度减少传导损耗
• 380W 功耗允许持续的热负载
• 77 nC 典型栅极电荷，可实现快速开关转换
• 1.3V 正向电压可降低二极管导通压降
应用
• 适用于 Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220 电机驱动器
• 适用于开关模式电源的 150V 104A MOSFET
• 与高功率 N 通道增强型 MOSFET 电路配合使用
• 可用于 TO-220 通孔 MOSFET 380W 功率级
• 适用于开关模式电源的 150V 104A MOSFET
• 与高功率 N 通道增强型 MOSFET 电路配合使用
• 可用于 TO-220 通孔 MOSFET 380W 功率级
设计人员应遵守哪些栅极电压限制？
栅源额定值为 ±20V，因此驱动电路必须将 VGS 保持在该范围内，以避免栅极损坏。
该设备在极端温度下的性能如何？
其工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，确保在这些环境温度和结温条件下保持电气特性。
在安装方式和引脚数量上，有哪些需要注意的考量因素？
该组件具有三个引脚，专为通孔安装而设计，采用 TO-220 格式，便于牢固连接散热器。
它使用哪种通道和传导模式？
这是一款 N 通道增强型设备，需要相对于源极施加正栅极才能导通。
相关链接
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 104 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB4115PBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 160 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 210 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
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