Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 210 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
124-8962
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

210A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

120nC

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

300W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

高度

9.02mm

宽度

4.83 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon


电动机控制 MOSFET


Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

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