Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 5.1 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, PMV45EN2系列
- RS 库存编号:
- 136-4806
- 制造商零件编号:
- PMV45EN2R
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.718 | RMB2,154.00 |
| 6000 - 27000 | RMB0.703 | RMB2,109.00 |
| 30000 + | RMB0.682 | RMB2,046.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 136-4806
- 制造商零件编号:
- PMV45EN2R
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | PMV45EN2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.6 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.1 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
系列 PMV45EN2 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 42 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.6 nC @ 10 V | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
高度 1mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 MOSFET ，高达 30V
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors