Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=5.1 A, 3针, SOT-23, PMV45EN2系列

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presentation
onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=8 A, 3针, SOT-23, PowerTrench系列
RS 库存编号
166-3628

个（每带 3000 ）

RMB5,580.00

(不含税)

RMB6,305.40

(含税)

RS 库存编号:
136-4835
制造商零件编号:
PMV45EN2R
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.1A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

PMV45EN2

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

42mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

5W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.6nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

长度

3mm

标准/认证

No

宽度

1.4mm

高度

1mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET ，高达 30V


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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