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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 2 | RMB5,510.24 |
| 3 - 5 | RMB5,400.04 |
| 6 + | RMB5,292.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 144-2259
- 制造商零件编号:
- BSM180D12P3C007
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 系列 | BSM | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 45.6mm | |
| 高度 | 17mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
系列 BSM | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 45.6mm | ||
高度 17mm | ||
长度 122mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
SiC 电源模块,ROHM
该模块包含碳化硅 (SiC) DMOS 电源 FET 设备,肖特基势垒二极管 (SBD) 横跨漏极和源极。
半桥配置
低浪涌电流
低功率切换损耗
高速切换
低工作温度
MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC 电源模块不包括肖特基势垒二极管。
相关链接
- ROHM , 2 N型沟道 增强型 SiC 电源模块, 4引脚, BSM系列, BSM180D12P3C007
- ROHM , 2 N型沟道 增强型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 300 A, 表面安装, 4引脚, BSM系列, BSM300D12P2E001
- ROHM 半桥 N型沟道 增强型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 240 A, 表面安装, 4引脚, BSM120D12P2C005, BSM系列
- ROHM N型沟道 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 204 A, 螺钉接线端子安装, BSM180D12P2C101
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 204 A, 模块, 螺钉接线端子安装, BSM180D12P2E002
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 180 A, 托盘, 螺钉接线端子安装, BSM180C12P3C202
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 204 A, 模块, 螺钉接线端子安装
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 300 A, 模块, 螺钉接线端子安装, BSM300C12P3E201
