STMicroelectronics P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, STripFET系列

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RS 库存编号:
145-8882
制造商零件编号:
STR2P3LLH6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

350mW

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

-1.1V

最高工作温度

150°C

高度

1.3mm

宽度

1.75 mm

长度

3.04mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics