Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.18 A, 3针, SOT-23, OptiMOS P系列

RS 库存编号:: 145-9489
制造商零件编号:: BSS215PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.18 A, 3针, SOT-23, OptiMOS P系列

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RS 库存编号:: 145-9489
制造商零件编号:: BSS215PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.18A
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	OptiMOS P
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	280mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3.6nC
	最大功耗 Pd	500mW
	最大栅源电压 Vgs	-12V, +12V
	正向电压 Vf	-1.1V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	2.9mm
	宽度	1.3mm
	高度	1mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.18A
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 OptiMOS P
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 280mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.6nC
	最大功耗 Pd 500mW
	最大栅源电压 Vgs -12V, +12V
	正向电压 Vf -1.1V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 2.9mm
	宽度 1.3mm
	高度 1mm
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P 系列 MOSFET，最大漏源电压 20V，最大漏源电阻 280mΩ - BSS215PH6327XTSA1

该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管，适用于要求严苛的电子系统的表面贴装应用。它为低压电路提供受控开关功能，可在宽环境温度范围内工作以适应汽车和工业环境，并采用紧凑的SOT-23封装，适用于空间受限的设计。

特性和优点：

• 导通电阻低至280mΩ，可降低导通损耗并减少散热需求
• 最大漏极电流1.18A，支持中等负载开关能力
• 20V漏源极额定电压，确保在 12V 系统中安全运行
• 典型栅极电荷为3.6nC，可实现更快的开关速度并降低驱动能耗
• 功耗500mW，可限制低功耗设计的热应力
• 额定栅源耐受电压12V，确保对栅极过驱具有耐受性

应用

• 适用于电池管理系统的高边开关
• 适用于汽车辅助电路的负载断开
• 用于紧凑型电源的DCDC转换器控制
• 可用于 12V 装置的反极性保护
• 适用于传感器接口模块的信号级切换

它在运行时能够耐受的温度范围是多少？

其规定工作温度范围为-55°C至150°C，可适应极端高温环境。

该器件如何封装以便在 PCB 上进行组装？

该器件采用 SOT-23 表面贴装封装，专为 PCB 自动贴装和焊接而设计。

我应该考虑哪些栅极驱动因素？

该器件的栅极与源极之间可承受高达 12V 的电压

确保栅极驱动电路将电压波动限制在该阈值范围内。

该器件是否适用于汽车级认证？

它符合AEC‑Q101标准，适用于多种汽车电子设计。