Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.5 A, 3针, SOT-23, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 892-2377
- 制造商零件编号:
- BSS314PEH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 100 件）*
RMB57.00
(不含税)
RMB64.00
(含税)
有库存
- 另外 3,900 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | RMB0.57 | RMB57.00 |
| 800 - 1400 | RMB0.553 | RMB55.30 |
| 1500 + | RMB0.536 | RMB53.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2377
- 制造商零件编号:
- BSS314PEH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 230mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 0.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 230mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 0.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，1.5A最大连续漏极电流 - BSS314PEH6327XTSA1
这款P沟道MOSFET作为紧凑型表面贴装开关器件，适用于汽车和工业电子领域的低压电源控制。它专为增强型模式操作而设计，可在宽温度范围内为电源路径和负载切换任务提供受控导通，因此适用于严苛的热环境。
特性和优点：
• 30V漏极能力，可实现低压系统开关功能
• 230mΩ导通电阻，可为小负载提供高效导通
• 1.5A连续漏极电流，支持中等电流路径
• 2.9nC 典型栅极电荷，可降低开关能耗
• 20V最大栅源电压额定值，提供灵活的栅极驱动裕量
• 汽车电子AEC Q101认证，适用于车规‑级应用
• 230mΩ导通电阻，可为小负载提供高效导通
• 1.5A连续漏极电流，支持中等电流路径
• 2.9nC 典型栅极电荷，可降低开关能耗
• 20V最大栅源电压额定值，提供灵活的栅极驱动裕量
• 汽车电子AEC Q101认证，适用于车规‑级应用
应用
• 可用于电池管理和保护电路
• 适用于汽车控制模块的负载切换
• 用于手持和便携式电子设备的电源轨
• 可用于传感器节点的小信号功率切换
• 适用于电路板空间受限的表面贴装设计
• 适用于汽车控制模块的负载切换
• 用于手持和便携式电子设备的电源轨
• 可用于传感器节点的小信号功率切换
• 适用于电路板空间受限的表面贴装设计
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
其指定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在温度波动较大的环境中使用。
封装对板级集成有何影响？
SOT-23表面贴装形式，可在密集的电路板上实现紧凑布置和自动组装。
设计人员应考虑哪些功率处理限制？
该器件的功耗高达500mW，因此需要充足的PCB覆铜和合理的热设计，以在持续负载条件下控制结温。
选择栅极驱动时有哪些电气限制？
驱动电压相对于源极必须保持在±20V以内，以避免栅极过压应力并确保可靠开关。
相关链接
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS308PEH6327XTSA1, OptiMOS P系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, OptiMOS P系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS119NH6327XTSA1, OptiMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 310 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, BSS223PWH6327XTSA1, OptiMOS P系列
- Infineon , 2 P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, OptiMOS P系列, BSL308PEH6327XTSA1
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS123NH6327XTSA1, OptiMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.18 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS215PH6327XTSA1, OptiMOS P系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.2 A, SOT-89, 表面安装, 4引脚, BSS606NH6327XTSA1, OptiMOS 3系列