IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 60 A, TO-268, 表面安装, 3引脚, HiperFET系列

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RS 库存编号:
146-4378
Distrelec 货号:
302-53-402
制造商零件编号:
IXFT60N65X2HV
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

HiperFET

包装类型

TO-268

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.4V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

108nC

最大功耗 Pd

780W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

高度

5.1mm

标准/认证

No

宽度

15.15 mm

长度

16.05mm

Distrelec Product Id

30253402

汽车标准

低 RDS(接通)和 Qg

快速体二极管

dv/dt 稳定

雪崩等级

低封装电感

国际标准封装

谐振模式电源

高强度放电 (HID) 灯镇流器

交流和直流电动机驱动器

直流 - 直流转换器

机器人和伺服控制

电池充电器

3 级太阳能逆变器

LED 照明

无人机 (UAV)

效率更高

高功率密度

安装简便

节省空间