Nexperia N型沟道 增强型 TrenchMOS 逻辑电平 FET, Vds=40 V, 75 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, BUK964R4-40B,118, BUK964R4-40B系列

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制造商零件编号:
BUK964R4-40B,118
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

TrenchMOS 逻辑电平 FET

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BUK964R4-40B

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

15 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64nC

最大功耗 Pd

254W

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101

高度

4.5mm

长度

10.3mm

宽度

9.4 mm

汽车标准

AEC-Q101

N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET,逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用塑料封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合相应的 AEC 标准,适用于对汽车要求严格的应用。

符合 AEC Q101 标准

由于具有低导通电阻,因此传导损耗低

适用于逻辑电平栅极驱动源

由于额定温度为 175 °C,适用于对热量要求苛刻的环境

12 V 负载

汽车系统

通用电源开关

电动机、灯和电磁阀