Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 79 A, LFPAK56, 贴片安装, 4引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
153-2862
制造商零件编号:
BUK9Y7R6-40E,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

通道类型

N

最大连续漏极电流

79 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

LFPAK56

安装类型

贴片

引脚数目

4

最大漏源电阻值

15.28 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.45V

最小栅阈值电压

0.5V

最大功率耗散

95 W

晶体管配置

最大栅源电压

15 V

典型栅极电荷@Vgs

5.5 nC @ 10 V

长度

5mm

宽度

4.1mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

汽车标准

AEC-Q101

最低工作温度

-55 °C

高度

1.05mm

N 沟道 40 V,7.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK56 封装,逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准,可用于高性能汽车应用。

符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C,适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动,在 175 °C 时,栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。