Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 14 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, Si4134DY系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 2500 件)*

¥5,665.00

(不含税)

¥6,402.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 2,500 个,准备发货
单位
每单位
每卷*
2500 - 10000RMB2.266RMB5,665.00
12500 +RMB2.221RMB5,552.50

* 参考价格

RS 库存编号:
165-2664
制造商零件编号:
SI4134DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si4134DY

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.014Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.3nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

5W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

4 mm

长度

5mm

高度

1.5mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor