Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=13.6 A, 8针, SOIC, Si4162DY系列

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包装方式：
RS 库存编号:
710-3323
制造商零件编号:
SI4162DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

Si4162DY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

4mm

高度

1.5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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