Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=2.7 A, 8针, SOIC, Si4848DY系列

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RS 库存编号:
146-4444
制造商零件编号:
SI4848DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.7A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

Si4848DY

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

3W

最高工作温度

150°C

长度

5mm

高度

1.55mm

宽度

4mm

标准/认证

No

汽车标准

否

无卤

TrenchFET® 功率 MOSFET

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