STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, 3针, TO-263, STripFET H7系列

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RS 库存编号:
165-6549
制造商零件编号:
STB100N10F7
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

STripFET H7

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最大功耗 Pd

150W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

4.6mm

长度

10.4mm

标准/认证

No

宽度

9.35mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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