STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 3针, TO-263, STripFET F7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
906-4668
制造商零件编号:
STB100N6F7
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

STripFET F7

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.6mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12.6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

125W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

4.6mm

长度

10.4mm

标准/认证

No

宽度

9.35mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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