制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, 3针, TO-263, STripFET H7系列

RS 库存编号:: 792-5697
制造商零件编号:: STB100N10F7
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=80 A, 3针, TO-263, STripFET H7系列

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RS 库存编号:: 792-5697
制造商零件编号:: STB100N10F7
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	80A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	STripFET H7
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	8mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	150W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	61nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	10.4mm
	宽度	9.35mm
	高度	4.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 80A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 STripFET H7
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 8mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 150W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 10.4mm
	宽度 9.35mm
	高度 4.6mm
	汽车标准否

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

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