Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 8.7 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP8N50D-GE3, D Series系列
- RS 库存编号:
- 165-7113
- 制造商零件编号:
- SIHP8N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- 制造商零件编号:
- SIHP8N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | D Series | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.85Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.7A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 D Series | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.85Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.51mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.01mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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