Vishay N型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=30 V, 30 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, Si4164DY系列

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RS 库存编号:
165-7275
制造商零件编号:
SI4164DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

TrenchFET 功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

Si4164DY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0032Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

6W

正向电压 Vf

0.72V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26.5nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC JS709A, RoHS

长度

5mm

高度

1.55mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
TW

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor