Vishay N沟道增强型TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=30 A, 8针, SOIC, Si4164DY系列

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RS 库存编号:
165-7275
制造商零件编号:
SI4164DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

TrenchFET 功率 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

Si4164DY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0032Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26.5nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.72V

最大功耗 Pd

6W

最高工作温度

150°C

长度

5mm

高度

1.55mm

标准/认证

JEDEC JS709A, RoHS

宽度

4mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
TW

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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