Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=50 A, 5针, TO-252, IPD200N15N3 G系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB148.70

(不含税)

RMB168.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 30 件将从其他地点发货
  • 另外 50 件在 2026年10月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
10 - 620RMB14.87RMB148.70
630 - 1240RMB14.423RMB144.23
1250 +RMB13.991RMB139.91

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
171-1945
制造商零件编号:
IPD200N15N3GATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-252

系列

IPD200N15N3 G

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

长度

10.36mm

高度

4.57mm

标准/认证

No

宽度

9.45mm

汽车标准

否

Infineon IPD200N15N3 G 为 150V ，与下一个最佳竞争对手相比， OptiMOS 实现了 40% 和 45% 的 R DS (on) 降低。这一重大改进带来了新的可能性，例如从引线封装迁移到 SMD 封装，或将两个旧部件有效地替换为一个 OptiMOS 部件。

极佳的切换性能

全球最低的 R DS (on)

相关链接