Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=55 A, 4针, TO-252

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB5,317.50

(不含税)

RMB6,010.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年6月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
2500 - 10000RMB2.127RMB5,317.50
12500 +RMB2.085RMB5,212.50

* 参考价格

RS 库存编号:
171-3608
制造商零件编号:
TSM090N03CP ROG
制造商:
Taiwan Semiconductor
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Taiwan Semiconductor

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

13mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

40W

最高工作温度

150°C

宽度

5.8mm

标准/认证

No

高度

2.3mm

长度

6.5mm

汽车标准

IEC 61249

Taiwan Semiconductor 30V ， 55A ， 3+TAB 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型通道模式。

符合 RoHS

150 °C 最高工作温度

40W 最大功耗

栅极阈值电压范围介于 1V-2.5V 之间

相关链接