Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=55 A, 4针, TO-252

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包装方式：
RS 库存编号:
171-3659
制造商零件编号:
TSM090N03CP ROG
制造商:
Taiwan Semiconductor
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品牌

Taiwan Semiconductor

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

13mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

40W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

最高工作温度

150°C

宽度

5.8mm

标准/认证

No

长度

6.5mm

高度

2.3mm

汽车标准

IEC 61249

Taiwan Semiconductor 30V ， 55A ， 3+TAB 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型通道模式。

符合 RoHS

150 °C 最高工作温度

40W 最大功耗

栅极阈值电压范围介于 1V-2.5V 之间

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