Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=7.7 A, 3针, TO-252, IRFR系列

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RS 库存编号:
177-7568
制造商零件编号:
IRFR014TRPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

IRFR

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

200mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

25W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.6V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

高度

2.38mm

长度

6.73mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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