Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=1 kV, Id=1.4 A, 3针, TO-220, IRFBG系列

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RS 库存编号:
178-0845
制造商零件编号:
IRFBG20PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.4A

最大漏源电压 Vd

1kV

系列

IRFBG

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

54W

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

宽度

4.7mm

标准/认证

No

高度

9.01mm

长度

10.41mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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