Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=1 kV, 3.1 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBG30PBF, IRFBG30系列

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RS 库存编号:
541-1146
Distrelec 货号:
171-15-229
制造商零件编号:
IRFBG30PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

3.1A

最大漏源电压 Vd

1kV

系列

IRFBG30

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.8V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

125W

最高工作温度

150°C

长度

10.41mm

高度

9.01mm

宽度

4.7mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRFBG30 系列功率 MOSFET,1000 V 漏源电压,3.1 A 连续漏电流 - IRFBG30PBF


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道设备,专为工业电子产品中的开关和功率控制功能而设计。它是一款通孔组件,采用TO-220AB封装,专为需要大功率处理和高排放到源电压能力的应用而设计。

特性和优点：


• 1000V 漏源额定值可实现高电压切换
• 3.1A 连续漏电流支持中等负载电流
• 125W 功耗可实现更高的功率处理
• 5Ω 最大 Rds 可最大限度减少负载下的传导损耗
• 80nC 典型栅极电荷允许可预测的栅极驱动尺寸
• 最高工作温度为150°C,可耐受高温环境

应用


• 适用于自动化系统中的高压电源转换器
• 非常适合电气设备的电机驱动前端
• 用于控制组件中的工业开关
• 可用于需要高 Vds 的保护电路
• 与机械驱动系统中的分立功率级配合使用

为实现安全操作,允许的栅极驱动空间是多少?


该设备可耐受高达 20 V 的栅极-源电压,因此设计栅极驱动器可在该范围内工作。

封装对热管理有何影响?


TO-220AB 通孔封装允许直接散热,可在适当的安装和冷却条件下管理 125 W 消散功率。

它能承受的环境温度范围是多少?


它可在 -55°C 至 150°C 温度范围内可靠运行,适应广泛的工业极端温度。

设计人员应期望哪种插针配置?


该组件是一款三针通孔设备,与分立电源组件的标准 PCB 布局兼容。

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