Vishay Siliconix P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 4针, TO-252, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
178-3960
制造商零件编号:
SQD40061EL_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.5V

最大功耗 Pd

107W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

185nC

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

高度

6.22mm

宽度

2.38mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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