Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 3针, TO-252, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
188-5048
制造商零件编号:
SQD40020E_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

TO-252

安装类型

PCB

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.00233Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

107W

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最高工作温度

175°C

长度

10.41mm

标准/认证

AEC-Q101

高度

4.57mm

宽度

9.65mm

汽车标准

AEC-Q101

汽车 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET

TrenchFET® 功率 MOSFET

具有低热阻的封装

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