Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 178-7369
制造商零件编号:: IPD025N06NATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 178-7369
制造商零件编号:: IPD025N06NATMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	90A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.8mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	71nC
	最大功耗 Pd	167W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	长度	6.73mm
	高度	2.41mm
	标准/认证	No
	宽度	6.22mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 90A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.8mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC
	最大功耗 Pd 167W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 6.73mm
	高度 2.41mm
	标准/认证 No
	宽度 6.22mm
	汽车标准否

IPD025N06N OptiMOS Power-Transistor

Infineon OptiMOS 5系列MOSFET，60V最大漏源电压，90A最大连续漏极电流 - IPD025N06NATMA1

这款N沟道增强型MOSFET是一款功率晶体管，专为需要稳健开关和中压导通能力的表面贴装电子设备而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要低导通损耗和适中栅极驱动的大电流应用。该器件采用TO-252封装，适用于高密度电路板的自动化组装。

特性和优点：

• 3.8mΩ Rds(on) 可降低传导损耗，从而提高效率
• 90A 持续漏极电流，支持重载开关
• 60V 漏源额定电压，支持中压设计
• 71nC典型栅极电荷，可最大限度降低驱动能耗需求
• 167W最大功耗，支持高功率处理
• 20V栅源极限值确保稳健的栅‑极驱动裕量

应用

• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于工业控制器的电机‑驱动半‑桥
• 与需要大电流的电池‑管理系统配合使用
• 可用于电信设备的DC‑DC转换
• 适用于服务器或存储电子设备的功率级应用

它在运行过程中可承受的温度范围是多少？

其规定工作温度范围为-55°C至175°C，可适应恶劣的热环境。

它是如何封装以进行组装和冷却的？

该元件采用TO-252（DPAK）表面‑贴装封装，专为焊接到电路板上并向散热层传导热量而设计。

我应该考虑哪些栅‑极驱动因素？

栅源电压不得超过20V

驱动电路的规格应设计为能够提供典型的71nC栅极电荷，以实现所需的开关速度。

其通道类型对开关行为有何影响?

作为一款N‑沟道增强型器件，它需要正的栅极电压才能导通，从而为高效大‑电流路径提供低导通‑电阻。