Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=45 A, 3针, TO-252, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 178-7370
制造商零件编号:: IPD053N06NATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=45 A, 3针, TO-252, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 178-7370
制造商零件编号:: IPD053N06NATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	45A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	8mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	27nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	83W
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	175°C
	宽度	6.22mm
	标准/认证	No
	高度	2.41mm
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 45A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 8mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 83W
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 175°C
	宽度 6.22mm
	标准/认证 No
	高度 2.41mm
	长度 6.73mm
	汽车标准否

IPD053N06N OptiMOS Power-Transistor

Infineon OptiMOS 5系列MOSFET，60V最大漏源电压，45A最大连续漏极电流 - IPD053N06NATMA1

该MOSFET是一款N‑沟道增强型器件，专为表面‑贴装电源组件的大‑电流开关操作而设计。它适用于严苛的热环境，可在宽环境温度范围内运行，专为需要低导通损耗和快速开关的应用而设计。该器件支持标准驱动电压，并提供受控的正向导通特性，适用于现代功率转换和电机‑驱动拓扑结构。

特性和优点：

• 8mΩ Rds(on) 可减少传导损耗并提高效率
• 45A连续漏极电流支持大‑电流设计
• 27nC 典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 83W最大功耗支持高‑功率运行
• 20V栅极耐受力兼容常见的栅‑极驱动方案

应用

• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于三‑相电机逆变器半‑桥
• 用于高‑电流路径中的电池管理系统
• 可用于电信设备的DC‑DC转换
• 适用于工业自动化单元中的负载‑切换

哪些栅极‑驱动考量因素会影响开关性能？

驱动栅极电压接近20V限值可降低导通‑电阻，但会增加开关损耗

选择一款能够平衡电压和转换速率的驱动装置，可优化效率和电磁特性。

在连续运行过程中应如何管理热条件？

该器件的功耗额定值为83W，必须合理设计电子散热片和PCB覆铜面积，以使结温维持在-55°C至175°C的工作范围内，从而确保长期‑可靠运行。

影响该器件PCB布局的机械限制因素有哪些？

TO‑252表面‑贴装封装需注意焊盘几何形状和散热过孔，以便将热量从可焊接的封装底部传导至电路板的热平面。

正向电压对于导通计算有何影响？

在计算导通区间内的电压降和功率损耗时，应考虑典型正向电压1.2V，尤其是在大‑电流条件下。