Vishay P型沟道MOSFET, Vds=5.5 V, Id=1.2 A, 6针, SC-70-6, SiP32431DR系列

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RS 库存编号:
180-7353
制造商零件编号:
SIP32431DR3-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

1.2A

最大漏源电压 Vd

5.5V

系列

SiP32431DR

包装类型

SC-70-6

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

147mΩ

最大功耗 Pd

250mW

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

85°C

宽度

2.2mm

长度

2.15mm

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
TW

Vishay SiP32431DR系列MOSFET,5.5 V最大漏源电压,1.2 A最大连续漏电流 - SIP32431DR3-T1GE3


该MOSFET是一款P沟道表面贴装型晶体管，专为紧凑型电子组件的低压开关任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要小封装尺寸和中等功率处理的板级电源管理。

特性和优点：


• 低导通电阻为147mΩ，可降低导通损耗
• 连续漏极电流额定值为1.2A，适用于稳态开关负载
• 5.5V漏源电压限值，适用于低压系统
• 250mW功耗能力，适用于中等热负载
• 符合 RoHS 标准的结构，支持无铅制造

应用


• 适用于手持及便携式设备的电源路径
• 适用于电池保护和负载开关电路
• 用于紧凑型消费电子产品和可穿戴设备
• 可用于低电压反极性保护
• 适用于高密度SMD组装

集成到电路板上需要采取哪种安装方式？


它以六引脚SC-70-6表面贴装封装形式提供，适用于回流焊及密集元件布局。

温度对其工作范围有何影响？


该器件规定的工作温度范围为-40°C至85°C，可在典型的工业和消费类环境条件下使用。

设计人员应采取怎样的引脚数和沟道极性？


该组件提供六个引脚，并采用P沟道器件来实现高边开关配置。

对于紧凑型设计，是否存在重要的尺寸限制？


其封装高度、长度和宽度分别为1.1mm、2.15mm和2.2mm，因此能够实现非常小的占位面积。

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